«Мы начали выпуск самых миниатюрных модулей NAND по нормам 25-нм техпроцесса, еще в январе,«Мы начали выпуск самых миниатюрных модулей NAND по нормам 25-нм техпроцесса, еще в январе,– рассказывает Том Рэмпоун (Tom Rampone), вице-президент и генеральный директор Intel NAND Solutions Group. – Теперь мы освоили стандарт 3bpc. Это говорит о способности разработчиков все время оставаться на пике технологического прогресса, предлагая новые продукты по доступным ценам. Intel ценит опыт IMFT в конструировании и производстве NAND-памяти и будет использовать новые модули в своих решениях».
«С каждым днем NAND-память становится все более важной для потребительской электроники. В связи с этим переход к технологии TLC с применением 25-нм процесса можно назвать конкурентным преимуществом портфеля наших решений, – заявил вице-президент Micron* по выпуску флэш-памяти Брайан Ширли (Brian Shirley). – Мы уже приступили к сертификации продуктов на базе 8-гигабитных модулей, включая устройтства хранения Lexar Media* и Micron*».
Новые модули памяти 3bpc, изготавливаемые с применением 25-нм техпроцесса, вмещают по 64 Гбит данных. По сравнению с продуктами предыдущих поколений они обладают меньшей себестоимостью и увеличенной емкостью и предназначены для USB-накопителей, карт памяти и потребительской электроники.
Новая технология разработана совместным предприятием IM Flash Technologies* (IMFT). В модулях NAND 64 Гбит (8 ГБайт) каждая ячейка хранит по три бита данных против двух бит в технологии предыдущего поколения. Это трехуровневая ячейка (triple-level cell, TLC).
Полезные ссылки
Micron в сети Twitter: www.twitter.com/microntechnews*
О флэш-памяти Intel: www.intel.com/design/flash/nand/
Блог Intel: http://blogs.intel.com
Intel в сети Twitter: www.twitter.com/intelnews *
Сообщества Intel: http://communities.intel.com