- Intel Micron* начинают производство нового класса энергонезависимой памяти впервые за последние 25 лет.
- Технология 3D XPoint™ обеспечивает в тысячу раз более высокую скорость[1] обмена данными с памятью по сравнению со стандартом NAND.
- Компании разработали уникальные композитные материалы и специальную архитектуру, которые позволяют увеличить плотность размещения компонентов в 10 раз по сравнению с обычной памятью[2].
САНТА-КЛАРА (Калифорния) и БОЙСЕ (Айдахо), 28 июля 2015 г. – Корпорация Intel и Micron Technology, Inc.* представили технологию 3D XPoint™, которая представляет собой энергонезависимую память, способную повысить скорость работы различных устройств, приложений и сервисов, которым необходим быстрый доступ к большим объемам данным. Память 3D XPoint позволяет создать новую категорию устройств хранения данных впервые со времен выхода на рынок флеш-памяти NAND в 1989 г.
Развитие устройств с расширенными сетевыми возможностями и новых цифровых сервисов привело к значительному увеличению объема данных. Для практического использования создаваемой информации необходимо создать ресурсы для ее хранения и быстрого анализа, что создает трудности для поставщиков услуг и системных разработчиков, которые вынуждены сохранять оптимальное соотношение стоимости, энергопотребления и производительности при проектировании новых устройств хранения данных. Технология 3D XPoint объединяет в себе все преимущества технологий производства памяти, доступных на рынке. Она отличается высокой производительностью и плотностью размещения компонентов, низким энергопотреблением и доступной ценой. Эта технология до 1 тыс. раз быстрее и имеет до 1 тыс. раз более длительный срок службы[3] по сравнению с памятью NAND. Кроме того, она имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с обычной памятью.
«На протяжении нескольких десятилетий компании искали способы сократить время задержки при обращении процессора к данным, чтобы повысить скорость анализа информации, – сказал Роб Крук (Rob Crooke), старший вице-президент и генеральный директор Non–Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel. – Новый класс энергонезависимой памяти 3D XPoint позволяет решить эту проблему и повысить скорость работы систем хранения данных».
«Одной из наиболее важных проблем в мире современных вычислительных технологий является длительное время, которое требуется процессору для доступа к данным в системе хранения, – сказал Марк Адамс (Mark Adams), президент компании Micron*. – Новый класс энергонезависимой памяти представляет собой революционную технологию, которая обеспечивает быстрый доступ к большим объемам данных и позволяет создать принципиально новые области применения».
Цифровой мир быстро развивается, с 4,4 зеттабайт цифровых данных, созданных в 2013 г., до предполагаемых 44 зеттабайт к концу 2020[4]. Технология 3D XPoint позволяет превратить этот огромный объем данных в полезную практическую информацию за наносекунды. Так, например, компании розничной торговли могут использовать новую разработку для того, чтобы оперативно определять признаки мошенничества в финансовых операциях; исследователи в области медицины смогут в режиме реального времени обрабатывать и анализировать более крупные массивы данных, ускоряя выполнение сложных научных задач, включая анализ генома человека и мониторинг течения заболевания.
Преимущества высокой скорости 3D XPoint смогут повысить комфорт пользователей при работе с ПК. Энергонезависимость новой технологии также позволяет использовать ее для различных приложений для хранения данных с низкой задержкой: данные не стираются после выключения устройства.
Новая архитектура для передовой технологии памяти
Основанная на 10 лет исследований и разработок, технология 3D XPoint была создана с нуля для того, чтобы удовлетворить спрос в энергонезависимых, высокоскоростных, долговечных и высокоемких решениях для хранения данных по доступной цене. В технологии используется новый класс энергонезависимой памяти, которая значительно уменьшает задержки, позволяя хранить больший объем данных ближе к процессору.
Инновационная перекрестная архитектура создает трехмерную «шахматную доску», на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет в независимом порядке выполнять адресацию. В результате, данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи.
Характеристики технологии 3D XPoint:
- Крестообразная структура – Перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных. Это позволяет добиться высокой скорости работы и высокой плотности.
- Многослойность
- Использование селектора – Доступ и чтение или запись в ячейках памяти осуществляются путем изменения значения напряжения, направляемого на каждый селектор. Это позволяет отказаться от необходимости использования транзисторов, что увеличивает емкость и снижает стоимость.
- Быстродействующие ячейки
Пробные поставки продукции на базе технологии 3D XPoint для отдельных заказчиков начнутся в этом году. Кроме того, Intel и Micron* разрабатывают собственную продукцию на базе этой технологии.
Дополнительная информация:
Примите участие в обсуждениях технологий памяти с помощью каналов социальных сетей Intel:
- Блогиcommunities.intel.com/community/itpeernetwork/blog
- Facebook*: www.facebook.com/Intel
- Twitter*: www.twitter.com/IntelSSD
- YouTube*: www.youtube.com/user/channelintel
Примите участие в обсуждениях Micron*:
- Блоги, посвященные инновациям: www.micronblogs.com
- Twitter*: www.twitter.com/micronstorage
- YouTube*: www.youtube.com/microntechnology
Контакты: Мария Кибкало
+7 (495) 641-4565
Михаил Рыбаков
+7 (495) 641-4550
Мария Бородай
+38 (044) 490-6357
Ирина Пак
+7 (727) 244-5554
- Irina.Pak@Intel.com
– – –
О корпорации Intel
Intel является лидером в области компьютерных инноваций. Корпорация разрабатывает и создает технологии, которые лежат в основе вычислительных устройств. Являясь лидером в сфере корпоративной и социальной ответственности, Intel также производит первые в мире «бесконфликтные» микропроцессоры. Дополнительную информацию о корпорации Intel можно найти на веб-сайте www.intel.ru/pressroom, на русскоязычном сервере http://www.intel.ru и на портале conflictfree.intel.com, посвященном инициативам Intel по отказу от использования конфликтных материалов.
О компании Micron Technology, Inc.*
Micron Technology, Inc.* является глобальным лидером в сфере производства полупроводниковых систем. Широкий ассортимент высокоскоростной продукции, включая память DRAM, NAND и NOR, является основой для создания твердотельных накопителей, модулей памяти и других систем. Решения для хранения данных Micron* позволяют создавать самые инновационные вычислительные, пользовательские, корпоративные, сетевые, мобильные, встраиваемые и автомобильные решения. Акции Micron* торгуются на бирже NASDAQ (условное обозначение: MU). Дополнительная информация доступна на сайте www.micron.com
Intel и 3D XPoint являются товарными знаками корпорации Intel в США и других странах.
* Другие торговые марки и товарные знаки являются собственностью их законных владельцев.
© 2015 г. Micron Technology, Inc. Все права защищены. Micron и логотип Micron являются торговыми марками компании Micron Technology, Inc.
Документ содержит заявления прогностического характера. Заявления прогностического характера представляют собой предположения, прогнозы и другие заявления в отношении будущих событий. Они основаны на текущих предположениях и, и в связи с ними имеется ряд неопределенностей и рисков. Многие факторы могут привести к тому, что реальные результаты будут отличаться от тех, которые указаны в этих заявлениях. Подробное описание факторов, которые могут оказать влияние на результаты работы Intel, содержится в документах, направленных в SEC, включая годовой отчет по форме 10-K.
[1] Разница в производительности основана на сравнении рабочих характеристик технологии 3D XPoint и технологии NAND.
[2] Разница в плотности размещения компонентов основана на сравнении показателей технологии 3D XPoint и DRAM.
[3] Разница в сроке службы основана на сравнении технологии 3D XPoint и технологии NAND.
[4] http://www.emc.com/leadership/digital–universe/2014iview/executive–summary.htm