САНТА-КЛАРА (Калифорния), БОЙСЕ (Айдахо), 6 декабря 2011 г. – Intel и Micron Technology объявили о создании первой в мире 20-нанометровой (нм) NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell, MLC) емкостью 128 гигабит (Гбит). Кроме того, стороны объявили о начале массового производства 20-нм NAND-памяти емкостью 64 Гбит. «С уменьшением портативных устройств и возрастанием потребностей центров … Continue reading Intel и Micron представляют первый в мире 20-нанометровый 128-гигабитный NAND-модуль