INTEL И MICRON ПРЕДСТАВЛЯЮТ 25-НАНОМЕТРОВУЮ ПАМЯТЬ NAND, СОЗДАННУЮ В СООТВЕТСТВИИ С НОРМАМИ САМОГО СОВРЕМЕННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ИНДУСТРИИ

САНТА-КЛАРА (Калифорния), БОЙСЕ (Айдахо), 1 февраля 2010 г. – Intel и Micron Technology* объявили о запуске 25-нанометровой (25-нм) технологии производства NAND-памяти, которая позволяет снизить производственные издержки и увеличить емкость хранилищ данных популярных потребительских устройств – смартфонов, медиаплееров и твердотельных накопителей.

Флэш-память NAND используется для хранения пользовательских файлов в потребительской электронике. Данные сохраняются и при выключенном электропитании. Уменьшение топологии чипов NAND позволяет расширять сферу применения этого типа памяти. 25-нм технологический процесс является не только наименьшим при изготовлении микросхем NAND, но и наиболее прогрессивным сегодня в полупроводниковой индустрии в целом. Это достижение позволяет увеличить количество музыкальных, видеофайлов и других данных, хранящихся в карманных устройствах и персональных компьютерах.

IM Flash Technologies* (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron* по выпуску флэш-памяти, приступило к производству модулей NAND емкостью 8 ГБайт. Площадь решения составляет 167 мм2; оно помещается в отверстие в центре компакт-диска. Обладая такими размерами, модуль способен вместить данные 10 компакт-дисков емкостью 700 мегабайт каждый.

Сконцентрировав инвестиции в разработку и исследования флэш-памяти, Intel и Micron* получили возможность удваивать плотность NAND-чипов приблизительно каждые 18 месяцев. Этот процесс ведет к постоянному уменьшению размеров продукции, повышению ее емкости и снижению производственных затрат. Сегодня, с переходом на 25-нм процесс, компании улучшают производственный цикл и укрепляются на рынке в качестве инноваторов, предлагая наименьший размер ячеек памяти в индустрии.

В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 8-гигабайтных модулей 25-нм NAND-памяти. Серийное производство планируется во II квартале 2010 г. Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Решение помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). В новом модуле число чипов, по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50%. Это позволяет конструировать еще более вместительные решения с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Например, один SSD емкостью 256 ГБайт можно содержать 32 новых модуля вместо 64; для 32 Гбайтного хранилища в смартфоне требуется 4 модуля, а для 16-гигабайтной карты памяти – всего два.

Полезные ссылки

Корпорация Intel, ведущий мировой производитель инновационных  полупроводниковых компонентов, разрабатывает технологии, продукцию и инициативы,  направленные на постоянное повышение качества жизни людей и совершенствование  методов их работы. Дополнительную информацию можно найти на веб-сайте www.intel.com/pressroom, на русскоязычном Web-сервере компании Intel www.intel.ru, а также на сайте blogs.intel.com.

О компании Micron
Micron Technology, Inc.  – крупнейший поставщик современных полупроводниковых решений. Работая на  глобальном рынке, Micron выпускает и продает NAND- и DRAM-память, другие  полупроводниковые компоненты и модули памяти для использования в современных  компьютерах, потребительской электронике, сетевом оборудовании и мобильных  продуктах. Обыкновенные акции Micron котируются на бирже NASDAQ под символом MU.  Чтобы узнать больше о Micron Technology, посетите www.micron.com*.

Данный  пресс-релиз содержит заявления прогностического характера, связанные с  производством 25-нм 8-ГБ NAND-модулей. Фактические события могут значительно  отличаться от тех событий, которые указаны в заявлениях прогностического  характера. Пожалуйста, обращайтесь к документам Micron, которые компания время  от времени направляет в Комиссию по ценным бумагам и биржам США, в частности, к  недавно поданным документам Micron по формам 10-K и 10-Q. Эти документы содержат  и определяют важные факторы, которые могут оказать влияние на фактические  результаты деятельности Micron, которые могут существенно отличаться от того,  что сказано в заявлениях прогностического характера (смотрите Certain Factors).  Мы убеждены в том, что наши ожидания, указанные в заявлениях прогностического  характера, являются вполне обоснованными, однако мы не можем гарантировать эти  результаты, высокий уровень деятельности, производственную эффективность и  достижения.


Intel и логотип Intel являются товарными знаками корпорации Intel в США и других странах.

*Другие торговые марки и товарные знаки являются собственностью их законных владельцев.

«Выход в абсолютные лидеры полупроводниковой индустрии по топологии производства является для Intel и Micron* феноменальным достижением, – убежден вице-президент Micron* по выпуску флэш-памяти Брайан Ширли (Brian Shirley). – Мы уже работаем над тем, как уменьшить техпроцесс в дальнейшем. Новая производственная технология открывает значительные преимущества перед нашими клиентами – ведь теперь они получают решения с еще большей емкостью».

«Путем инвестирования в IMFT мы добиваемся лидерства в технологической гонке и производим надежную NAND-память с максимально эффективным использованием производственных ресурсов,
– комментирует
Том Рэмпоун
(Tom Rampone), вице-президент и генеральный директор Intel NAND Solutions Group. –
Это ускоряет распространение твердотельных накопителей на рынке вычислительных систем».

О корпорации Intel

Intel (NASDAQ: INTC) раздвигает границы технологий, чтобы сделать возможными самые удивительные впечатления. Более подробная информация об Intel и о результатах работы более 100 тысяч сотрудников компании представлена на сайтах newsroom.intel.ru и www.intel.com.

Intel и логотип Intel являются торговыми марками корпорации Intel в США и в других странах.

*Прочие наименования и торговые марки могут быть собственностью соответствующих владельцев.