«Мы продолжаем разрабатывать новые технологии компьютерной памяти, расширяя возможности вычислительных систем, – рассказывает заслуженный исследователь Intel, директор по развитию технологий памяти Эл Фэзио (Al Fazio). – Благодаря новым технологиям, включая память на базе фазовых переходов, устройства хранения данных будут играть более важную роль в вычислительных системах будущего. Они позволяют увеличить быстродействие компьютеров».
«Сделан многообещающий научный прорыв, – говорит старший почетный сотрудник Numonyx, специалист в области технологий Грег Этвуд (Greg Atwood). – Он показывает, что мы можем создавать память с еще большей плотностью, увеличивать размер массивов и в будущем использовать фазовую память там, где сейчас стоит NAND. Это очень важно, так как традиционная флэш-память подходит к пределу своих физических и функциональных возможностей. Между тем, потребность в памяти остается. Все больше и больше памяти необходимо для самых различных продуктов – от мобильных устройств до центров обработки данных».
Санта-Клара (Калифорния, США) и Женева (Швейцария), 28 октября 2009 г. – Корпорация Intel и компания Numonyx объявили о значительном прорыве в создании Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти с возможностью создания многослойных массивов на одном кристалле. Это позволит создавать высокоскоростные системы хранения данных и память со случайным доступом, которые будут обладать более высокой плотностью хранения данных, меньшим потреблением энергии и миниатюрными размерами.
Прорыв осуществлен в рамках сотрудничества между Numonyx и Intel. В рамках совместных исследовательских работ компании смогли разработать способ формирования многослойной памяти на базе фазовых переходов, получив возможность производить вертикально интегрированные ячейки PCM(S). Каждая включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.
Ячейки фазовой памяти создаются путем соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно, но ранее использовалось сразу несколько типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности. Инженеры Intel и Numonyx смогли использовать тонкопленочный двухтерминальный OTS в качестве переключающего элемента. Он соответствует физическим и электрическим свойствам PCM, открывая возможность масштабирования. Благодаря данному нововведению стало возможным создание многослойной памяти.
Intel и Numonyx соединяют ячейки памяти с CMOS-структурами, которые обеспечивают логические функции и преобразование сигналов. Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, и сама память не теряет свойств даже в после 1 млн. циклов перезаписи.
Более подробная информация будет приведена в совместном докладе «Многослойная узловая память на базе фазовых переходов» (A Stackable Cross Point Phase Change Memory), представленном на International Electron Devices Meeting 2009 в Балтиморе (Мэриленд) 9 декабря. Его соавторами являются сотрудники Intel и Numonyx. Доклад будет представлен инженером Intel ДерЧаном Кау (DerChang Kau).
Корпорация Intel, ведущий мировой производитель инновационных полупроводниковых компонентов, разрабатывает технологии, продукцию и инициативы, направленные на постоянное повышение качества жизни людей и совершенствование методов их работы. Дополнительную информацию можно найти на веб-сайте www.intel.com/pressroom, на русскоязычном Web-сервере компании Intel www.intel.ru, а также на сайте blogs.intel.com.
Intel и логотип Intel являются товарными знаками корпорации Intel в США и других странах.
*Другие наименования и товарные знаки являются собственностью своих законных владельцев.
О Numonyx
Numonyx предлагает полный перечень технологий, связанных с такими типами памяти как NOR, NAND, RAM и фазовой памятью, а также готовые продукты, позволяющие удовлетворить возрастающие потребности пользователей на рынке мобильных устройств, устройств хранения данных и встраиваемых решений. Работа Numonyx посвящена поставке технологий, позволяющих создавать устройства хранения данных с высокой плотностью и низким потреблением энергии в различных форм-факторах, клиентам во всем мире. Дополнительная информация о Numonyx доступна по адресу www.numonyx.com.